1月5日 ，快盈viii集团控股上市公司国星光电作为A级单元参编的《2022碳化硅（SiC）工业调研白皮书》《2022氮化镓功率与射频工业调研白皮书》在行家说第三代半导体SiC和GaN先进技术生长及应用研讨会上宣布。
两本工业调研白皮书重点围绕SiC和GaN生长现状、产能、产物特点、技术动向、生长趋势等热点话题进行全面详细梳理和深入剖析。凭借在第三代半导体领域积累的实战经验和扎实的创新研发能力 ，国星光电在两本白皮书中详细展示了最新的产物结构及创新技术的应用场景。
2019年 ，国星光电研究院正式启动组建功率器件实验室及功率器件产线事情 ，朝着高可靠性及高品质的“三代半功率器件封测企业”的偏向奋力前行。经过产物技术迭代升级 ，国星光电SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）产物线不停扩展 ，以智能化、�？榛⒍ㄖ苹⒏叨嘶� ，与多家知名厂商建立良好的合作关系 ，逐步打造品类富厚、品质上乘的产物结构。
▲笼罩多个应用领域的产物类型
SiC分立器件产物
国星光电SiC功率分立器件已形成SiC-SBD、SiC-MOSFET两条拳头产物线 ，拥有TO-247封装、TO-220封装、TO-263封装、TO-252封装、DFN5*6等五种封装结构。其中 ，SiC-SBD重点推广到黑白家电等领域；SiC-MOSFET可用于光伏逆变、储能、充电桩、大型驱动、UPS不间断电源等工业级领域 ，并向车规领域靠拢；以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产物 ，在开关损耗、开通损耗、开关频率等方面优势明显 ，可为新能源市场提供更优的技术解决方案。
（部门配图来源：unsplash）
SiC�？椴�
基于数字化验证技术 ，国星光电推出了多款高可靠性SiC功率�？� ，并规划出NS34m、NS62m、NSEAS、NSECO等4个系列可量产的尺度封装类型产物 ，可应用于太阳能发电、新能源汽车、新能源动车、电网传输、风力发电等领域。其中 ，NS62m功率�？樾缕芬劳蠸iC MOSFET芯片的优异性能 ，在降低系统成本、提升系统效率等方面体现精彩 ，系列产物可响应差异封装及规格的SiC功率�？槎ㄖ瓶⑿枨�。
（部门配图来源：unsplash）
GaN器件产物
瞄准照明及大功率驱动市场 ，国星光电建成DFN5*6和DFN8*8两大类GaN器件产物线 ，推出E-mode系列产物与Cascode系列产物 ，可凭据客户需求提供定制化技术解决方案。特别是结合LED原有的下游应用市场 ，国星光电开发出多款使用SIP封装(System In Pakage系统级封装)的电源管理IC ，富厚GaN-IC产物线 ，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插快充等领域得以应用。
（部门配图来源：unsplash）
撰稿：成年斌、翁雯静
编辑：刘 韵
编审：杜文光
